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3月，国内消费电子市集感知到了“芯”跳加快。

一周之内，两大头部手机厂商接连官宣加价，拉开了末端成本传导的序幕：3月18日，vivo上调了部分产物的漠视零卖价。就在两天前，OPPO也开动转化部分已发售产物价钱。

两家厂商的调价四肢指向并吞个中枢原因：各人半导体及存储成本抓续大幅飞腾。

国产算力侧同步迎来加价潮。就在手机厂商通知提价的3月，阿里云、百度智能云也接连发布调价公告，对AI算力、存储等中枢产物进行价钱上调，最飞扬幅达34%。

而在本年1月，各人云计较龙头AWS残害近20年“只降不升”的传统，对大模子检修用EC2机器学习容量块提价15%。

手机与云作事，看似处于产业链的两头，却在并吞时期感受到了辩论的成本压力。背后是一场由AI激发的、正在重塑各人存储芯片供需姿色的“蝴蝶效应”。

为卓绝志AI作事器的爆发式需求，三星、SK海力士等上游原厂将跳跃80%的先进产能，优先分派给利润率更高的HBM高带宽内存，从而严重挤压了消费电子所需的LPDDR和NAND闪存供应。

AI激发的“结构性挤占”，正让存储芯片插足一个非典型的超等周期。

01

AI算力需求激发“结构性挤占”

各人半导体及存储成本抓续大幅飞腾的头绪不错倒推至一年前。

·2024年四季度，价钱飞腾信号就已初步显现。AI作事器需求彼时就开动挤压消费电子产能，存储厂商优先供应利润更高的AI作事器存储产物（如HBM、DDR5），消费级DRAM/NAND Flash出现结构性缺货迹象，半导体产业链各要道开动感受到成本压力。

2025年，存储价钱开动赫然飞腾，并呈现出随季度加快的态势。二季度，部分品类季度累计涨幅跳跃300%，中国AI供应链需求强盛，进一步推高半导体价钱。四季度，内存价钱插足快速上升通谈，金士顿16G普条内存从200元傍边开动飞腾。

Counterpoint Research在2025年12月发布的《各人智高手机出货跟踪与预测》就自大，受存储芯片成本大幅飞腾影响，2026年各人智高手机市集将呈现“量减价升”态势，预测2026年智高手机均价将飞腾6.9%

爆发式飞腾发生在本年前三月：存储价钱大幅飞腾，作事器高端DDR5模组涨幅超600%；消费级DDR5内存模组涨幅达250%-400%；好意思光科技2026E毛利率预期达67.3%（2025年为39.8%。

“存储加价潮”的根源，在于AI大模子的爆发式增长，东谈主工智能大模子从聊天对话走向多要道推广诓骗，陪同数十倍的Token破钞，推理算力需求呈指数级增长。

国度数据局统计自大，为止2025年9月底，中国日均token破钞量已突破40万亿，和2024岁首比较增长400多倍。本年春节时期AI Agent诓骗爆发，Token调用量更是迎来一轮激增。

而在本年2月，中国大模子单周调用量达到5.16万亿Token，三周内增长127%，初次跳跃好意思国模子的2.94万亿Token，各人开发者生态影响力获取施行性突破。

这些王人班师拉动了云厂商对HBM、高端DDR5、企业级SSD等高性能存储芯片的多数采购。

当上游原厂将先进产能优先分派给利润更高的作事器市集时，就变成了抵消费电子（如手机用LPDDR）的产能挤占，最终激发全线加价。

苏商银行特约研究员付一夫线路，上游供应链成本结构性暴涨与产能失衡，AI大模子爆发导致云厂商、作事器厂商自便霸占存储芯片产能，三星、SK海力士等优先供应高利润作事器市集，手机用DRAM、NAND闪存供给严重不及，价钱翻倍。

02

中低端需求的“真空”

2026年AI作事器的需求赶紧彭胀。AI检修对存储的条款已从“容量驱动”转向“性能驱动”，高带宽内存（HBM）成为算力芯片的“标配”。

靠近AI作事器市集的爆发式需求，三星、SK海力士、好意思光三大寡头接受高度一致，将80%以上的先进产能优先分派给利润率更高的HBM（高带宽内存）和高端DDR5-2-9，班师挤压了手机端LPDDR的供应。

这等于所谓的“产能结构性歪斜”，分娩高端存储芯片的产线，无法同期供应中低端需求。而一座存储晶圆厂的开发周期需要一年半到两年，即便目下大范围投资，新增产能也要到2027年底能力权贵开释。

北京社科院副研究员王鹏线路，上游存储原厂转化产能布局，集结资源发展高端产物线、削减低端产能，且新增产能开释滞后，市蚁集座供应垂死，推动价钱上扬。

另有行业不雅点以为，本轮存储价钱飞腾会进一步加重手机行业集结度普及，风险最高的三类厂商是中小品牌、以低端机型为主的厂商、供应链开端单一且议价智商弱的厂商。

03

价钱新高，库存拉响警报

据国度发展校阅委价钱监测中心的数据，为止本年1月，DRAM与NAND闪存价钱双双创下自2016年有记载以来的历史新高，主流型号DRAM合约价较客岁9月飞腾83%，NAND闪存涨幅更是靠拢1.5倍。

更值得警惕的是，各人三大存储巨头三星、SK海力士、好意思光把持90%以上的DRAM产能，并将大部分先进产能转向高毛利率产物，导致消费级存储芯片供救急剧减弱。三星2026年底HBM占DRAM产能比例将从23%普及至37%；SK海力士从28%升至33%；好意思光从16%升至28%。

在高端产能自便扩张的同期，中低端存储的产能空间被严重挤压，加之半导体晶圆厂扩建周期长达2至3年，短期无法开释新产能。

库存告急、价钱冲顶、寡头转产，这场由AI算力爆发激发的“存储慌”，正从上游晶圆厂向卑鄙的手机、云计较末端加快传导。

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国产替代迎来窗口期

自海外存储芯片价钱飞腾以来，国产替代厂商的报价引诱力相对上升。

业内东谈主士清醒，当年两周国产替代部分芯片产物的询单量赫然上升，部分国内手机品牌采购团队开动重估国产芯片的导入比例。

SEMI提供的数据自大，2020年至2030年间，中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，增长近三倍，各人市集份额从20%升至32%。2028年各人将新建108座晶圆厂，其中亚洲占84座，中国独占47座，跳跃亚洲新增产能的一半。

大同证券研报指出，2025年6月以来DRAM价钱呈现强盛的上升趋势，班师响应了AI作事器、新一代PC和数据中心对高性能内存的强盛需求，存储芯片行业正插足新一轮景气上行周期。

在地缘政事配景下，半导体产业链的国产替代正在加快鞭策。弊端要道（如刻蚀、清洗）国产化率的普及，阐扬国产开拓已缓缓从考据期插足放量期。在此趋势下，国内晶圆厂扩产带来的国产开拓与材料订单机遇值得温柔，荒谬是那些已在主流产线终了批量供货、时期壁垒较高的细分边界龙头。

前述研报以为，面前TMT行业热门主要围绕“AI硬件”和“国产替代”两条干线伸开。前者与各人科技巨头的本钱开支高度关连，后者则具备明确的策略复旧与产业升级配景。

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